Modeling of a High-Frequency Microelectromechanical X-Band Switch for Space Applications


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results of modeling of microwave and mechanical characteristics of an X-band switch based on the technology of high-frequency microelectromechanical structures are presented. A method for design of a device operating directly in the external environment and a device whose moving components are placed in a dielectric case. Characteristics of the optimized switches are determined. Estimated mechanical calculations confirming high stability of the developed high-frequency microelectromechanical structure switches in the temperature range specific of devices used in the space industry are also performed.

Об авторах

E. Savin

BTlabs LLC

Автор, ответственный за переписку.
Email: e.savin@btlabs.ru
Россия, Moscow, 212108

G. Alagashev

BTlabs LLC

Email: e.savin@btlabs.ru
Россия, Moscow, 212108

P. Didyk

Russian Space Systems JVC

Email: e.savin@btlabs.ru
Россия, Moscow, 111250

A. Zhukov

Russian Space Systems JVC

Email: e.savin@btlabs.ru
Россия, Moscow, 111250

K. Chadin

BTlabs LLC

Email: e.savin@btlabs.ru
Россия, Moscow, 212108

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).