Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Nikonov, A. V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Temperature dependence of diffusion length in MCT epitaxial layers
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Experimental investigation and calculation of the spectral dependence of the absorption coefficient of single-layer epitaxial HgCdTe structures
Том 62, № 3 (2017)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Analysis of the spatial distribution of the spectral photosensitivity of focal plane arrays
Том 62, № 3 (2017)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Investigation of spectral dependences of the absorption coefficient in InGaAs layers
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Savitzky–Golay filtering of the spectral sensitivity of photodetector arrays
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Том 63, № 3 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Influence of Indirect Transitions on Optical Characteristics of A
3
B
5
Heteroepitaxial Layers
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Multi-Row Photodetectors for the Short Wavelength IR Region Based on HgCdTe Heteroepitaxial Structures
Том 64, № 3 (2019)
Article
Investigation of CdHgTe-Based FPA Heterogeneity
Том 64, № 3 (2019)
Article
Analysis of Multilayer Heteroepitaxial Structures Based on CdHgTe Using Infrared Transmission Spectra
Том 64, № 3 (2019)
Article
Analysis of the Photoluminescence Spectra of Heterostructures with AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP