Wave properties of shallow-layer semiconductor–insulator medium in the presence of magnetic field


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Expressions for effective permittivity of a periodic semiconductor–insulator structure with both n- and p-type semiconductor layers are derived in the approximation of shallow-layer medium. Dispersion relations are obtained for the TM wave that is controlled by external magnetic field with allowance for different propagation directions of the wave relative to the periodicity axis of the structure. Specific features of the transmission spectrum of wave are revealed for a layer of shallow-layer medium with finite thickness at several ratios of layer thicknesses in the period of structure.

Авторлар туралы

I. Fedorova

Ulyanovsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: sementsovdi@mail.ru
Ресей, ul. L. Tolstogo 42, Ulyanovsk, 432970

D. Sementsov

Ulyanovsk State University

Email: sementsovdi@mail.ru
Ресей, ul. L. Tolstogo 42, Ulyanovsk, 432970

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2017