Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Drozdov, M.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 42, № 3 (2016)
Article
Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters
Том 42, № 8 (2016)
Article
Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick (>100 μm) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry
Том 43, № 5 (2017)
Article
Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry
Том 44, № 4 (2018)
Article
New Cluster Secondary Ions for Quantitative Analysis of the Concentration of Boron Atoms in Diamond by Time-of-Flight Secondary-Ion Mass Spectrometry
Том 44, № 4 (2018)
Article
A New Limitation of the Depth Resolution in TOF-SIMS Elemental Profiling: the Influence of a Probing Ion Beam
Том 45, № 1 (2019)
Article
Experimental Observation of the Confinement of Atomic Collision Cascades during Ion Sputtering of Porous Silicon
Том 45, № 1 (2019)
Article
A New Approach to TOF-SIMS Analysis of the Phase Composition of Carbon-Containing Materials
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP