Multiple Upsets Induced by Protons in 90-nm SRAMs

N. A. Ivanov; O. V. Lobanov; V. V. Pashuk; M. O. Prygunov; K. G. Sizova

doi:10.1134/S1063785019010097

Multiple Upsets Induced by Protons in 90-nm SRAMs

Авторы: Ivanov N.¹, Lobanov O.¹, Pashuk V.¹, Prygunov M.², Sizova K.³
Учреждения:
1. Konstantinov Petersburg Nuclear Physics Institute
2. LLC O2 Light Systems
3. LLC NPC Granat
Выпуск: Том 44, № 12 (2018)
Страницы: 1205-1207
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7850/article/view/208165
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019010097
ID: 208165

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Статистика

Аннотация

The occurrence of single-event upsets (SEUs) in 90-nm SRAM integrated circuits irradiated by 1000-MeV protons has been investigated. The experimental data were analyzed and processed, and the results showed the possibility of multiple cell upsets in the integrated circuits studied.