Electroluminescent study of the efficiency of silicon heterostructural solar cells


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A strong (by more than an order of magnitude) change in the electroluminescence intensity is observed for the first time in high-quality heterojunction solar cells that are based on a single-crystal silicon and have an efficiency of 18 to 20.5%. This effect occurs due to the sharp change in the concentration of the recombination centers on the surface of single-crystal silicon wafers in the course of their pyramidal texturing and also due to the rise in the series resistance. The effect can be used for a quantitative highly sensitive characterization of the texturing, which is a fundamentally important stage in fabricating highly efficient silicon solar cells.

Авторлар туралы

V. Verbitskii

Ioffe Physical Technical Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

I. Panaiotti

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Nikitin

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Bobyl’

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

G. Shelopin

R&D Center for Thin-Film Technologies in Energetics, Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194064

D. Andronikov

R&D Center for Thin-Film Technologies in Energetics, Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194064

A. Abramov

R&D Center for Thin-Film Technologies in Energetics, Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194064

A. Sachenko

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

E. Terukov

Ioffe Physical Technical Institute; R&D Center for Thin-Film Technologies in Energetics, Ioffe Physical Technical Institute

Email: vnverbitskiy@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194064


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>