Информация об авторе

Kukushkin, S. A.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 58, № 3 (2016) Surface Physics and Thin Films Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon
Том 58, № 4 (2016) Phase Transitions Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon
Том 58, № 5 (2016) Ferroelectricity Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate
Том 58, № 5 (2016) Impurity Centers Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals
Том 58, № 7 (2016) Surface Physics and Thin Films Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates
Том 58, № 9 (2016) Surface Physics and Thin Films Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate
Том 58, № 10 (2016) Semiconductors Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy
Том 59, № 1 (2017) Semiconductors Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide
Том 59, № 2 (2017) Surface Physics and Thin Films Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer
Том 59, № 4 (2017) Semiconductors Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates
Том 59, № 4 (2017) Phase Transitions Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide
Том 59, № 5 (2017) Surface Physics, Thin Films X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method
Том 59, № 6 (2017) Surface Physics and Thin Films A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon
Том 59, № 12 (2017) Optical Properties IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide
Том 60, № 3 (2018) Semiconductors Epitaxial Growth of Cadmium Selenide Films on Silicon with a Silicon Carbide Buffer Layer
Том 60, № 5 (2018) Semiconductors Study of the Anisotropic Elastoplastic Properties of β-Ga2O3 Films Synthesized on SiC/Si Substrates
Том 60, № 9 (2018) Polymers Mechanism of Formation of Carbon–Vacancy Structures in Silicon Carbide during Its Growth by Atomic Substitution
Том 60, № 10 (2018) Phase Transitions A New Trigonal (Rhombohedral) SiC Phase: Ab Initio Calculations, a Symmetry Analysis and the Raman Spectra
Том 61, № 3 (2019) Semiconductors Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide
Том 61, № 3 (2019) Semiconductors Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution
Том 61, № 3 (2019) Surface Physics and Thin Films Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution
Том 61, № 8 (2019) Semiconductors Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide
Том 61, № 12 (2019) Article International Conference “Mechanisms and Nonlinear Problems of Nucleation and Growth of Crystals and Thin Films” Dedicated to the Memory of Professor V.V. Slezov, an Outstanding Theoretical Physicist
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Photoemission Studies of the Electronic Structure of GaN Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Study of Elastic Properties of SiC Films Synthesized on Si Substrates by the Method of Atomic Substitution
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Mechanism of Diffusion of Carbon and Silicon Monooxides in a Cubic Silicon Carbide Crystal
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors A New Method of Growing AlN, GaN, and AlGaN Bulk Crystals Using Hybrid SiC/Si Substrates
Том 61, № 12 (2019) Ferroelectricity Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric and Polar Properties of Aluminum Nitride Films
Том 61, № 12 (2019) Low-Dimensional Systems Aromatic-Like Carbon Nanostructures Created on the Vicinal SiC Surfaces

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».