Electromagnetic Modeling, Technology, and Production of Microwave C 3 MOSHFET Switches on AlGaN/GaN Heterostructures

A. S. Adonin; A. Yu. Evgrafov; V. M. Minnebaev; N. G. Ivashchenko; A. V. Myakon’kikh; A. E. Rogozhin; K. V. Rudenko

doi:10.1134/S1063739717060026

Electromagnetic Modeling, Technology, and Production of Microwave C³MOSHFET Switches on AlGaN/GaN Heterostructures

Авторы: Adonin A.¹, Evgrafov A.¹, Minnebaev V.¹, Ivashchenko N.¹, Myakon’kikh A.², Rogozhin A.², Rudenko K.²
Учреждения:
1. AO Scientific and Production Enterprise NPP Pulsar
2. Physics and Technological Institute
Выпуск: Том 46, № 6 (2017)
Страницы: 390-395
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/186560
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739717060026
ID: 186560

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Статистика

Аннотация

The features of the electromagnetic modeling of a microwave switch for the frequency range of 1–20 GHz, which is then produced by C³MOSHFET technology on AlGaN/GaN heterostructures using high-K dielectrics and contacts with capacitive coupling, are considered.