Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

A brief overview of the current state of the experimental research on the development of the element base of quantum computers with qubits based on single neutral atoms trapped in optical traps. The requirements for qubits, peculiarities of single neutral atoms as qubits, methods for the quantum register development and for the implementation of single-qubit quantum logic operations in the laser and microwave fields, and two-qubit operations through the dipole–dipole interaction after a short laser excitation of atoms to the Rydberg states are discussed. The results of the experiments on the observation of the interaction of two Rydberg atoms at a Förster resonance controlled by the dc and radio-frequency electric field are presented.

Об авторах

I. Ryabtsev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

I. Beterov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

E. Yakshina

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

D. Tretyakov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

V. Entin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

I. Neizvestny

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Latyshev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Aseev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics; Novosibirsk State University

Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).