A method for calculating the thermal characteristics of silicon TVS-diodes in the pulse mode


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The dependence of the thermal characteristics of TVS-diodes during the passage of the pulse overload has been studied. The time dependences of the pulse voltage limitation and current are analyzed. Based on the analysis of the dependences, the thermal characteristics of the TVS-diode are calculated. It is shown that the parameters of the TVS-diodes deteriorate on reaching a current density of 160–300 A/cm2 and critical temperature of 250–300°С. The dependences of the thermal resistance and critical temperature of the TVS-diodes on the current density and the pulse duration are presented.

Авторлар туралы

F. Grigoriev

Moscow Institute of Electronics and Mathematics

Email: frog_x@mail.ru
Ресей, Moscow, 115054

A. Aleksandrova

Moscow Institute of Electronics and Mathematics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: frog_x@mail.ru
Ресей, Moscow, 115054

V. Gafurov

Dukhov All-Russian Research Institute of Automatics

Email: frog_x@mail.ru
Ресей, Moscow, 101000

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016