The Instability of the CV Characteristics’ Capacitance When Measuring AlGaN/GaN-Heterostructures and the HEMT-Transistors Based on Them


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

AlGaN/GaN heterostructures and AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors’ Schottky barriers (SBs) are studied by the capacitance–voltage (CV) method and the SIMS method in order to determine the causes of the capacitance instability in some cases. It is shown that in most cases, the appearance of a capacitance peak on the CV curves at frequencies of 20 to 500 kHz is associated with the presence of leakage currents in the barrier layer and at low frequencies of 1 to 20 kHz with the generation–recombination centers.

Авторлар туралы

K. Enisherlova

AO NPP Pulsar

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Enisherlova@pulsarnpp.ru
Ресей, Moscow, 105187

V. Goryachev

AO NPP Pulsar

Email: Enisherlova@pulsarnpp.ru
Ресей, Moscow, 105187

V. Saraykin

AO NPP Pulsar

Email: Enisherlova@pulsarnpp.ru
Ресей, Moscow, 105187

S. Kapilin

AO NPP Pulsar

Email: Enisherlova@pulsarnpp.ru
Ресей, Moscow, 105187


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>