X-ray Diffractometry Studies of the Structural Properties of Solid Solutions Based on Gallium Nitride


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Features of diffractometry multilayer heterostructures based on gallium nitride have been considered. Using a Vector-GaN instrument for X-ray diffractometry, the effect of the technological conditions of the preparation of the layers of the GaAlN/InGaN/GaN/Al2O3 heterostructure on their structural perfection has been demonstrated.

Авторлар туралы

E. Vigdorovich

Physico-Technological Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: evgig@mail.ru
Ресей, Moscow

I. Ermoshin

ZAO Elma-Malakhit

Email: evgig@mail.ru
Ресей, Moscow


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>