320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes

A. M. Belin; V. I. Zolotarev; A. Yu. Nikiforov; A. D. Popov

doi:10.1134/S1063739716070027

320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes

Авторлар: Belin A.M.¹, Zolotarev V.I.¹, Nikiforov A.Y.², Popov A.D.¹
Мекемелер:
1. National Research University of Electronic Technology
2. Shvabe-Photosystems
Шығарылым: Том 45, № 7 (2016)
Беттер: 474-477
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/185885
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739716070027
ID: 185885

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The results of research and development of a 320 × 240 platinum silicide focal plane array (FPA) for the spectral range of 3–5 μm are presented. The development is based entirely on CMOS technology. It is shown that the FPA makes it possible to adjust the photosignal accumulation time at a fixed frame rate and subtract the background constant component in the output device.