Drop deposition of thin nanostructured coatings of lead telluride


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The current-voltage relationships of deposited structures are measured for cluster structures consisting of nanoparticles of lead telluride. Variation in the value of the tunnel current is shown. Optimum conditions for the possible emergence of quantum-hopping conductivity due to carrier tunneling (the characteristic sizes of the nanoclusters and the distances between them) are determined.

Авторлар туралы

Tran Phong

Vietnam National University

Email: arak@vlsu.ru
Вьетнам, Hanoi, 144

Nguyen Thuath

Vietnam National University

Email: arak@vlsu.ru
Вьетнам, Hanoi, 144

S. Arakelian

Vladimir State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: arak@vlsu.ru
Ресей, Vladimir, 600000

A. Osipov

Vladimir State University

Email: arak@vlsu.ru
Ресей, Vladimir, 600000

I. Skryabin

Vladimir State University

Email: arak@vlsu.ru
Ресей, Vladimir, 600000

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2017