№ 11 (2023)
Статьи
Формирование вискероподобной морфологии на поверхности углеродного волокна при магнетронном распылении
Аннотация
Экспериментально изучено воздействие облучения ионами водорода, гелия, азота и неона со средней энергией 0.8 кэВ на морфологию поверхности при магнетронном распылении высокомодульного углеродного волокна из полиакрилонитрила. Во всех случаях на поверхности формировался вискероподобный рельеф. Наибольшая высота вискеров получалась при облучении ионами азота и неона, наименьшая высота и пониженная плотность вискеров была при облучении ионами водорода. Сравнение с облучением углеродного волокна из полиакрилонитрила ионами инертных газов и азота с энергией 10–30 кэВ показывает, что вискероподобная морфология дополняет разнообразие ионно-индуцированных морфологий поверхности волокна. Полученные результаты обсуждены в рамках существующих моделей образования ионно-индуцированных морфологических элементов на поверхности графитоподобных материалов. Предполагается наличие порога по числу радиационных смещений, создаваемых в поверхностном слое, приводящего к наблюдаемому качественному различию ионно-индуцированной морфологии при низких и высоких энергиях ионов. Проведенные оценки профилей смещений для случая облучения ионами водорода показывают кратно меньшее число смещений, чем для других ионов, что коррелирует с наблюдаемыми в проведенном эксперименте различиями вискеризации выбранными ионами и факторами развития вискеров.
Исследование факторов, определяющих эффективность взаимодействия активированных эвтектикой Ga–In алюминиевых сплавов с водой в водородных картриджах
Аннотация
Методами рентгеновской дифракции высокого разрешения с использованием синхротронного излучения, растровой электронной микроскопии показано, что наблюдаемая высокая реакционная способность коммерческих алюминиевых сплавов, активированных эвтектикой Ga–In, связана с формированием эвтектики Al–Ga–In в зернограничной области во всей массе материала. Потеря активности материалов при хранении в атмосферных условиях обусловлена окислением компонентов эвтектики. Активирование чистым галлием приводит к образованию твердых растворов AlGax, имеющих низкую активность в реакции с водой при нейтральном pH.
Влияние покрытия танталом на кристаллизацию деформированных аморфных сплавов Fe78Si13B9 и Al87Ni8Gd5
Аннотация
Методом рентгенографии исследовано влияние свободного объема на процессы кристаллизации аморфных сплавов Fe78Si13B9 и Al87Ni8Gd5. Для исследования влияния свободного объема проводили деформирования аморфных сплавов двумя способами: ультразвуковой обработкой и многократной прокаткой. После деформации на аморфные сплавы было нанесено защитное покрытие. Показано, что нанесение защитного покрытия с большей энергией образования вакансий по сравнению с энергией образования вакансий в исследуемых аморфных сплавах является эффективным способом сохранения свободного объема в аморфной фазе, поскольку в таком случае свободному объему термодинамически невыгодно мигрировать из аморфной фазы в материал покрытия. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что предварительная деформация аморфных сплавов приводит к увеличению количества свободного объема. Увеличение количества свободного объема и его сохранение с помощью защитного покрытия способствует существенному ускорению процессов кристаллизации аморфных сплавов Fe78Si13B9 и Al87Ni8Gd5. Полученные результаты расширяют существующие представления о процессах кристаллизации аморфных сплавов, а также указывают на возможность получения материалов с различными структурными характеристиками и, как следствие, с разными физико-химическими свойствами.
Влияние алюминия на структуру и электрические свойства аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок
Аннотация
Исследовано влияние слабо образующего карбиды металла – алюминия – на фазовый состав, структуру и электрофизические свойства аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Проведено сравнение полученных результатов с влиянием на те же характеристики карбид-образующих переходных металлов – титана и гафния. Показано, что влияние алюминия и переходных металлов на структуру и свойства кремний-углеродных пленок принципиально различно. Введение алюминия в широком диапазоне концентраций, в отличие от переходных металлов, не приводит к образованию в пленках нанокристаллической фазы. Концентрационные зависимости электропроводности при введении алюминия имеют плавный, монотонный характер, а при введении переходных металлов – ярко выраженный перколяционный, а абсолютные значения изменений электропроводности различаются на порядки. Проведенный комплекс исследований позволил сделать заключение, что причины указанных различий обусловлены взаимодействием вводимых металлов с разными химическими элементами пленки. Атомы переходных металлов взаимодействуют, в основном, с атомами углерода с образованием высокопроводящих нанокристаллов карбидов. В противоположность этому атомы алюминия в основном взаимодействуют с атомами кислорода и формируют аморфную фазу оксида алюминия.
Подготовка поверхности термоэлементов и исследование омических пленочных контактов, сформированных на ней различными способами
Аннотация
Предложены способы и установлены критерии подготовки поверхности наноструктурированных термоэлектрических материалов для нанесения тонко- и толстопленочных омических контактов. Установлены параметры механического и химического способов обработки поверхности термоэлектрических материалов перед нанесением контактов. Исследованы шероховатость и морфология поверхности образцов термоэлектрических материалов и полученных пленок. Установлены критерии и оптимальные значения шероховатости поверхности термоэлектрических материалов. Определены режимы получения тонко- и толстопленочных контактов. Тонкопленочные контакты (толщиной до 300 нм) получали магнетронным напылением Ni. Толстопленочные контакты формировали химическим и электрохимическим осаждением Ni. Полученные пленки содержали различное количество никеля в составе. Удельное электрическое сопротивление пленок Ni, полученных химическим осаждением, значительно выше, чем для пленок Ni, полученных электрохимическим осаждением. Удельное контактное сопротивление системы металл–термоэлектрический материал в случае нанесения пленок Ni магнетронным напылением оказалось наименьшим среди рассмотренных образцов. А в случае нанесения контактов химическим осаждением сравнимо с таковым для пленок Ni, сформированных электрохимическим осаждением. Адгезионная прочность пленок Ni, полученных различными способами, имеет высокие значения, превосходящие отраслевой стандарт для пленочных покрытий в микроэлектронике. По электрофизическим свойствам и адгезионной прочности все полученные омические контакты удовлетворяют требованиям, предъявляемым к конструкции эффективных термоэлементов.
Моделирование многослойных систем с перестраиваемыми оптическими характеристиками
Аннотация
Материалы с фазовым переходом МФП, в частности халькогенидные стеклообразные полупроводники и соединения из системы Ge–Sb–Te представляют интерес для применения в оптических технологиях обработки информации. Уникальность этих материалов состоит в том, что они обладают низкоэнергетичным, быстрым и обратимым фазовым переходом, приводящим к значительному изменению показателя преломления в инфракрасной области оптического спектра. Модельные расчеты, проведенные в настоящей работе, позволили исследовать трансформацию оптических свойств в многослойных системах, состоящих из слоев SiO2, Si, Si3N4 и активного слоя из МФП материала с фазовым переходом при изменении его фазового состояния. Целью этих исследований ставилось выполнение условия наименьших оптических потерь при пропускании и отражении излучения 1550 нм в таких системах в случае аморфного и кристаллического состояния активного слоя соответственно. В результате была спроектирована наиболее удовлетворяющая указанным условиям девятислойная система “SiO2//111 нм Si/277 нм SiO2/111 нм Si/251 нм SiO2/10 нм Ge2Sb2Se4Te/241 нм SiO2/110 нм Si/276 нм SiO2/112 нм Si//SiO2”.
Определение толщин монослойных покрытий, подверженных ионному воздействию, методами РФЭС
Аннотация
Проведено исследование образцов монокристалла кремния, покрытого нанослоями золота. Образцы получены двумя методами: напылением золота с использованием пучка Xe+ с начальной энергией 7 кэВ и методом термического осаждения. Выполнен предварительный анализ образцов на основе расшифровки энергетических спектров отраженных протонов с начальной энергией 25 кэВ. Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (Angle Resolved XPS) определены толщины покрытий золота на кремнии. Анализ образцов с использованием рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии выполнен на основе сравнения интенсивностей максимумов Au 4f и Si 2p, измеренных при разных углах детектирования фотоэлектронов. Вычисления, выполненные традиционными методами, указывают на заметную зависимость расчетной толщины золотого покрытия от угла визирования для случая монослойных и субмонослойных покрытий. Показано, что подобное расхождение возможно, если золото осело на кремний в виде кластеров, образовав островки, а не в форме сплошного однородного покрытия. Обсуждена возможность движения островков из золота относительно кремния в верхних слоях кремния, которые были подвержены протонной бомбардировке под скользящими углами к поверхности.
Формирование Zn-содержащих кластеров в имплантированной пленке Si3N4/Si
Аннотация
Приводятся результаты синтеза и исследования Zn-содержащих кластеров на границе раздела пленки Si3N4/Si, имплантированной ионами 64Zn+ с дозой 5 × 1016 cм–2 и энергией 40 кэВ. Пленку Si3N4 предварительно наносили на кремниевую подложку газофазным методом. Затем имплантированные образцы размером 10 × 10 мм отжигали в окислительной атмосфере (на воздухе) с шагом 100°C в течение 1 ч на каждом шаге в диапазоне температур 400–800°C. Для исследования профилей цинка при отжигах использовали метод резерфордовского обратного рассеяния. Структуру и состав пленки изучали с помощью растровой электронной микроскопии в сочетании с энергодисперсионной спектроскопией, а также фотолюминесценцией. После имплантации вблизи поверхности пленки Si3N4 зафиксированы отдельные кластеры металлического цинка размером порядка 100 нм и менее. Установлено, что в процессе отжигов в образце происходит рост кластеров Zn и постепенное превращение фазы металлического Zn в фазы его оксида ZnO и далее, предположительно, силицида Zn2SiO4. После отжига при температуре 700°C, наиболее оптимальной для получения фазы ZnO, в пленке Si3N4 образуются кластеры оксида цинка размером около 100 нм. В спектре фотолюминесценции возникает пик на длине волны 370 нм, обусловленный экситонной люминесценцией в оксиде цинка. После отжига при 800°C происходит деградация фазы ZnO и, предположительно, образование фазы силицида цинка Zn2SiO4.
Размерная зависимость адсорбционных свойств кластеров никеля на поверхности оксида алюминия
Аннотация
Несмотря на наметившуюся в последнее время активность в области исследований свойств систем, образующихся при адсорбции атомов металлов на поверхности оксидов, многие вопросы фундаментального характера остаются открытыми. Выяснение фундаментальных особенностей поведения систем рассматриваемого типа позволит улучшить технологическую основу практической разработки и применения существующих материалов. В связи с этим, в настоящей работе в сверхвысоком вакууме с использованием методов диагностики поверхности выполнено исследование системы Ni/Al2O3/Mo(110). Методами рентгеновской фотоэлектронной и электронной оже-спектроскопии, спектроскопии обратного рассеяния ионов низкой энергии, инфракрасной фурье-спектроскопии показано, что электронные и адсорбционные свойства нанокластеров никеля на поверхности оксида алюминия существенно зависят от размера кластера. Свойства кластеров размером не более 2 нм определяются формированием поляризованной в сторону оксидной подложки связи на границе раздела Ni/Al2O3. С ростом кластера происходит деполяризация этой связи с перераспределением электронной плотности на латеральные связи между атомами Ni. Такая размерная зависимость позволяет настраивать свойства кластеров металлов и металлооксидной системы в целом, например, для достижения требуемых электронных и адсорбционно-реакционных параметров.
Синтез и структура нанопокрытий из кобальта на пористом оксиде алюминия
Аннотация
Представлены результаты исследований морфологии и локальной атомной структуры покрытий кобальта, осажденных методом магнетронного напыления на наноструктурированные поверхности пористого оксида алюминия с различной морфологией, заданной напряжением анодирования в растворах серной (25 B) и щавелевой (40 и 120 B) кислот. Методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии показано, что покрытия имеют морфологические особенности, представляющие собой гексагонально-расположенные наночастицы, сформированные на границах между порами. С увеличением размеров нанопор на поверхности подложек происходит изменение размеров и формы морфологических особенностей нанесенных покрытий. По данным спектроскопии тонкой структуры рентгеновского поглощения и спектроскопии тонкой структуры ближней области края рентгеновского поглощения, происходят изменения локальной атомной структуры кобальта, в частности, кобальт у образца покрытия, осажденного на поверхность пористого оксида алюминия, полученного при анодировании при напряжении (25 В) в серной кислоте, окислен сильнее, что связано с большей химической активностью из-за меньших размеров, составляющих покрытие наночастиц. Полученные результаты позволят в дальнейшем производить направленное изменение формирование структурно-чувствительных свойств, таких как химическая и электрохимическая активность, магнитная чувствительность, получаемых покрытий.
Сверхпроводящий соленоид (7 Тл) с косвенным охлаждением криокулерами для терагерцового излучения
Аннотация
Представлены результаты испытаний и рабочие характеристики сверхпроводящего соленоида с косвенным охлаждением на основе криокулеров, который будет использоваться на экспериментальной станции терагерцовой спектроскопии лазера на свободных электронах в Институте ядерной физики. Сверхпроводящий соленоид был рассчитан на магнитное поле 6.5 Тл при диаметре обмотки 102 мм и длине 0.5 м. Диаметр теплого канала 80 мм доступен для экспериментов по терагерцовой спектроскопии. Использовался сверхпроводящий провод Cu/NbTi = 1.4. В конструкции реализованы пассивные методы защиты при внезапном переходе в нормальное состояние за счет секционирования и вторичных связанных контуров. Требуемую однородность поля 0.5% обеспечивали применением железного ярма и дополнительных боковых обмоток. Криогеника соленоида основана на двух криокулерах Sumitomo HI. Соленоид и железное ярмо охлаждаются второй ступенью криокулера, с которой они соединены с помощью медных пластин. Подробно описана технология изготовления соленоида. Соленоид был испытан в погружном криостате с жидким гелием и собственном криостате. Его характеристики удовлетворяют требованиям экспериментальной станции. Полученное поле 7.3 Тл больше расчетного за счет переохлаждения криокулерами до 3.6 К. Магнитное поле измеряли как в погружном криостате при 4.2 К, так и в проектном криостате – результаты соответствовали проектным расчетам. Время охлаждения соленоида составляет 13 дней. Произошли только два перехода в нормальное состояние – при 5.6 и 7.3 Тл.
Сканирующий синхротронный рентгенофлуоресцентный микроанализ для задач тефрохронологии
Аннотация
На границе Китая и Северной Кореи находится единственный действующий стратовулкан восточной части Азии – Пэктусан (другие названия Байтоушань, Чанбайшань). Он широко известен благодаря одному из крупнейших в историческую эпоху извержений, которое произошло в X веке нашей эры. По шкале вулканической активности событие оценивается на семь баллов – крупнейшее извержение в последнее тысячелетие. Современные исследования показывают, что извержение вулкана Пэктусан произошло поздней осенью–зимой 946 г. н.э. Эта датировка подкрепляется данными, полученными при изучении ледяного керна из Северной Гренландии, в котором были найдены следы вулканического пепла. Был исследован образец керна варвных (годовая слоистость) донных осадков озера Беле (Хакасия). На глубине 860 мм (возраст по подсчету годовых слоев 942 г. н.э. ± 26 лет) обнаружен слой толщиной 2–3 мм, резко отличающийся по цвету и текстуре от остального материала керна. С использованием модуля конфокальной рентгеновской микроскопии был исследован оптический шлиф, содержащий аномальный слой. Проведено 2D-сканирование фокусированным пучком синхротронного излучения диаметром 20 мкм. Внутри слоя обнаружено большое количество микрочастиц с высоким содержанием циркония и иттрия. Обсуждается возможность обнаружения следов извержения вулкана Пэктусан.
Рентгеновские трансфокаторы: перестраиваемые рентгеновские фокусирующие устройства на основе составных преломляющих линз
Аннотация
Представлено новое поколение ультракомпактных и высоковакуумных охлаждаемых трансфокаторов на основе преломляющих линз для задач коллимации, транспорта и фокусировки жесткого рентгеновского излучения. Трансфокатор представляет собой оптическое устройство способное изменять положение фокуса в зависимости от количества рентгеновских преломляющих линз, которые выставлены по оптическому пути прохождения рентгеновского излучения. Конструкционные особенности представленного устройства позволяют управлять отдельными оптическими элементами независимо друг от друга, обеспечивая более гибкую настройку фокусного расстояния для широкого круга приложений. Малые габаритные размеры и небольшой вес устройств позволяют интегрировать их на любую станцию синхротронного излучения.
Ядерные тормозные способности для DFT-потенциалов с притягивающей ямой
Аннотация
С использованием потенциалов взаимодействия, полученных в рамках теории функционала плотности, рассчитаны ядерные тормозные способности для систем H, D, T–Be, C, W, необходимые для расчета взаимодействия плазма–стенка в термоядерных исследованиях, а также для систем Kr–Si, Kr–Ge, O–Si, применяемых при ионной имплантации в полупроводники. В диапазоне значений энергии столкновения 10–1000 эВ полученные данные отличаются от данных SRIM на 15–70%. Наличие потенциальной ямы приводит к появлению дополнительного пика на зависимости сечения ядерного торможения при низких энергиях. Сравнение классических расчетов транспортного сечения с квазиклассическими показало их идентичность при энергии до 0.3 эВ.
Проект экспериментальной станции X-Techno для источника синхротронного излучения “СКИФ”
Аннотация
Экспериментальные станции на источниках синхротронного излучения могут предъявлять разные и даже взаимоисключающие требования к используемому рентгеновскому пучку. В некоторых случаях требуются пучки с минимально возможным поперечным сечением для реализации зондовых методов исследования образцов в режиме картографирования. Для решения задач радиационной обработки материала или изготовления коммерческого продукта с использованием подходов рентгеновской литографии необходим рентгеновский пучок сравнительно большой площади, обеспечивающий равномерное поле экспонирования. На разрабатываемой для источника синхротронного излучения “СКИФ” экспериментальной станции, получившей наименование “X-Techno”, станет возможным формировать пучки синхротронного излучения размером в горизонтальной плоскости до 100 мм и различным спектральным составом. Такие пучки будут применяться поочередно в одной из трех исследовательских камер станции для исследования радиационных эффектов в материалах, а также формирования структур в области микро- и нано размеров. Конструкция станции позволит изучать физико-химические свойства материалов под действием рентгеновского излучения в спектральном диапазоне от 2 до 70 кэВ.