Comparative Analysis of the Effect of RF and DC Magnetron Sputtering Parameters on the Structure Formation of Tantalum-Diboride Thin Films

A. A. Goncharov; A. N. Yunda; A. I. Bazhin; I. V. Shelest; V. V. Buranich

doi:10.1134/S1027451018030291

Comparative Analysis of the Effect of RF and DC Magnetron Sputtering Parameters on the Structure Formation of Tantalum-Diboride Thin Films

Авторлар: Goncharov A.A.¹, Yunda A.N.¹, Bazhin A.I.², Shelest I.V.¹, Buranich V.V.¹
Мекемелер:
1. Sumy State University
2. National Science Center of Physics and Technology
Шығарылым: Том 12, № 3 (2018)
Беттер: 544-548
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1027-4510/article/view/195448
DOI: https://doi.org/10.1134/S1027451018030291
ID: 195448

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

A comparative analysis of the effect of magnetron-sputtering parameters on the formation of the structure of thin tantalum-diboride films deposited using a radio-frequency magnetron sputtering system and a sputtering system with an unbalanced direct-current magnetron is carried out. The sign and magnitude of the bias voltage is shown to significantly affect the structure of tantalum-diboride films.