Мақаланы E-mail арқылы жіберу Emission and optical properties of SiO2/Si thin films
- Авторлар: Tashmukhamedova D.A.1, Yusupjanova M.B.1
-
Мекемелер:
- Tashkent State Technical University
- Шығарылым: Том 10, № 6 (2016)
- Беттер: 1273-1275
- Бөлім: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/1027-4510/article/view/190552
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1027451016050438
- ID: 190552
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The energy-band parameters and the emission and optical properties of SiO2/Si films of different thicknesses prepared by thermal oxidation and ion bombardment are studied. It is shown that the band gap Eg of the SiO2/Si film with a thickness of 30–40 Å is 8.8–8.9 eV. In the transition layer, the Eg value and secondary-electron emission coefficient σm steadily decrease with increasing depth.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
D. Tashmukhamedova
Tashkent State Technical University
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095
M. Yusupjanova
Tashkent State Technical University
Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095
Қосымша файлдар
