Backscattered electron imaging of microand nanostructures: 4. Structures with a trapezoidal profile and large side-wall inclination angles


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The results of investigating the imaging of grooves in silicon with a trapezoidal profile and large side-wall inclination angles, which are obtained using a scanning electron microscope operating in the back-scattered-electron collection mode, are presented. Only two among the four known imaging mechanisms is demonstrated to provide contributions to the image-formation process. The lack of contributions from two other mechanisms is explained.

Авторлар туралы

Yu. Novikov

A.M. Prokhorov General Physics Institute; National Research Nuclear University “MEPhI” (Moscow Engineering Physics Institute)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: nya@kapella.gpi.ru
Ресей, Moscow, 119991; Moscow, 115409

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016