Effect of low-energy X-ray radiation on the electrophysical properties of silicon crystals of  n - and  p -type conductivity

L. P. Steblenko; A. A. Podolyan; A. B. Nadtochiy; A. N. Kuryliuk; D. V. Kalinichenko; Yu. L. Kobzar; A. N. Krit; S. N. Naumenko

doi:10.1134/S1027451016020361

Effect of low-energy X-ray radiation on the electrophysical properties of silicon crystals of n- and p-type conductivity

Авторлар: Steblenko L.P.¹, Podolyan A.A.¹, Nadtochiy A.B.¹, Kuryliuk A.N.¹, Kalinichenko D.V.¹, Kobzar Y.L.¹, Krit A.N.², Naumenko S.N.¹
Мекемелер:
1. Department of Physics
2. Scientific Research Center Physical and Chemical Materials Science
Шығарылым: Том 10, № 3 (2016)
Беттер: 672-675
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1027-4510/article/view/189173
DOI: https://doi.org/10.1134/S1027451016020361
ID: 189173

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

We study the kinetics of the photovoltage decay in silicon crystals, caused by the effect of lowenergy (E = 8 keV) X-ray radiation. A correlation between radiation-induced changes in the short-term and long-term components of the photovoltage decay and the charge state of the surface, determined by measuring the surface distribution of the amplitude and decay time of the photovoltage, is found.