Surface Protection of Low-Melting Glass Based Silicon Substrates for Silicon Transistor Fabrication


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Different methods are proposed for protecting the surfaces of silicon substrates in the fabrication of silicon transistors. The results of thermal operations with technological regimes for obtaining a low-melting glassy layer in order to protect the surface of p – n junction substrates from different external actions are presented.

Авторлар туралы

T. Ismailov

Dagestan State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: bijke@mail.ru
Ресей, Makhachkala, Dagestan

T. Sarkarov

Dagestan State Technical University

Email: bijke@mail.ru
Ресей, Makhachkala, Dagestan

B. Shangereeva

Dagestan State Technical University

Email: bijke@mail.ru
Ресей, Makhachkala, Dagestan

A. Shakhmaeva

Dagestan State Technical University

Email: bijke@mail.ru
Ресей, Makhachkala, Dagestan

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media, LLC, 2017