Surface Reactivity of Single-Crystal Silicon in Atomic Layer Deposition Processes


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Resumo

A macromolecular concept of the structure of solids and induction constants are used to quantitatively assess the reactivity of hydroxyl groups on the surface of single-crystal matrices, as exemplified by silicon. The oxide layer on the surface of such matrices is shown to influence the reactivity of silanol groups in atomic layer deposition processes.

Sobre autores

Yu. Ezhovskii

St. Petersburg State Technological Institute (Technical University)

Autor responsável pela correspondência
Email: ezhovski1@mail.ru
Rússia, Moskovskii pr. 26, St. Petersburg, 190013

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