Growth of Gallium Nitride Micro- and Nanocrystallites on the Surface of Gallium Arsenide


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

As a result of heterosegregation, we have obtained a gallium nitride phase, including oriented micro- and nanocrystallites, on the surface of gallium arsenide. The mechanism underlying the growth of crystallites of the surface phase has been analyzed.

Авторлар туралы

Yu. Tomashpolsky

Karpov Institute of Physical Chemistry (Russian Federation State Scientific Center)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: tomashpols@yandex.ru
Ресей, ul. Vorontsovo pole 10, Moscow, 105064

V. Matyuk

Karpov Institute of Physical Chemistry (Russian Federation State Scientific Center)

Email: tomashpols@yandex.ru
Ресей, ul. Vorontsovo pole 10, Moscow, 105064

N. Sadovskaya

Karpov Institute of Physical Chemistry (Russian Federation State Scientific Center)

Email: tomashpols@yandex.ru
Ресей, ul. Vorontsovo pole 10, Moscow, 105064

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018