Structural and Optoelectron Properties of Hybrid Perovskite Crystals
- Авторы: Semenova O.I.1, Abramkin D.S.1, Derebezov I.A.1, Shmakov A.N.2, Gaisler A.V.1, Gaisler V.A.1
- 
							Учреждения: 
							- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
- Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch
 
- Выпуск: Том 55, № 5 (2019)
- Страницы: 441-446
- Раздел: Physical and Engineering Fundamentals of Microelectronics and Optoelectronics
- URL: https://journals.rcsi.science/8756-6990/article/view/212841
- DOI: https://doi.org/10.3103/S8756699019050042
- ID: 212841
Цитировать
Аннотация
The structure and photoluminescence of CH3NH3PbI3 (lead triiodide methylammonium) synthesized perovskite crystals are investigated in a wide temperature range. As temperature rises to 130–140 K, there is a junction from an orthorhombic to tetragonal crystal lattice with a change in the bandwidth. An increase in the stationary photoluminescence intensity at room temperature under the influence of exciting emission is revealed. A model explaining the observed growth of photoluminescence is proposed.
Ключевые слова
Об авторах
O. Semenova
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 13, Novosibirsk, 630090						
D. Abramkin
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
														Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 13, Novosibirsk, 630090						
I. Derebezov
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
														Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 13, Novosibirsk, 630090						
A. Shmakov
Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch
														Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 5, Novosibirsk, 630090						
A. Gaisler
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
														Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 13, Novosibirsk, 630090						
V. Gaisler
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch
														Email: oisem@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							pr. Akademika Lavrentyeva 13, Novosibirsk, 630090						
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
					 
						 
						 
						 
									 
  
  
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail  Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Только для подписчиков
		                                		                                        Только для подписчиков
		                                					