Introscopy in nano- and mesoscopic physics: Single electronics and quantum ballistics


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A method is presented to be used in a computational experiment aimed at studying the internal structure of nano- and mesoscopic objects, i.e., conducting subsystems and quantum phenomena in solid submicron objects, which demonstrate an individual behavior of low-temperature resistance.

Авторлар туралы

V. Tkachenko

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vtkach@isp.nsc.ru
Ресей, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090

O. Tkachenko

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: vtkach@isp.nsc.ru
Ресей, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090

Z. Kvon

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: vtkach@isp.nsc.ru
Ресей, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090

A. Latyshev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: vtkach@isp.nsc.ru
Ресей, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090

A. Aseev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: vtkach@isp.nsc.ru
Ресей, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2016