An X-ray spectral and theoretical study of the electronic structure and features of interatomic interactions in phenoxysilanes


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The electronic structure and features of interatomic interactions providing the Si–O–C6H5 bonds in H4-nSi(OC6H5)n (n = 1–4) were studied by a combined analysis of the X-ray emission and photoelectron spectroscopic data and the results of quantum-chemical calculations. Theoretical calculations were carried out using the density functional theory. The distributions of the density of states were constructed, the correlation energy diagrams were presented, and the main types of interatomic interactions in phenoxysilanes were revealed.

Авторлар туралы

T. Danilenko

Research Institute of Physics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090

M. Tatevosyan

Research Institute of Physics

Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090

V. Vlasenko

Research Institute of Physics

Email: tdanil1982@yandex.ru
Ресей, pr. Stachki 194, Rostov-on-Don, 344090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>