Отправить статью по E-mail Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
- Авторы: Kazakov I.P.1, Klekovkin A.V.1,2, Tsvetkov V.A.1, Akmaev M.A.1, Uvarov O.V.3
-
Учреждения:
- Lebedev Physical Institute
- Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics
- Prokhorov General Physics Institute
- Выпуск: Том 46, № 1 (2019)
- Страницы: 5-8
- Раздел: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/1068-3356/article/view/228835
- DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335619010020
- ID: 228835
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Single quantum wells in the system Si1_xGex/Si with x < 0.1 are grown by molecular-beam epitaxy in the mode of periodic Ge molecular flow interruption during the formation of the alloy layer. It allowed an increase in the operating current of the source electron gun, which provided a more stable molecular Ge flow. The grown heterostructures are studied by transmission scanning electron microscopy methods
Об авторах
I. Kazakov
Lebedev Physical Institute
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
A. Klekovkin
Lebedev Physical Institute; Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics
Автор, ответственный за переписку.
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991; Nagornyi pr. 7, str. 5, Moscow, 117105
V. Tsvetkov
Lebedev Physical Institute
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
M. Akmaev
Lebedev Physical Institute
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
O. Uvarov
Prokhorov General Physics Institute
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Россия, ul. Vavilova38, Moscow, 119991
Дополнительные файлы
