Orientation-patterned templates GaAs/Ge/GaAs for nonlinear optical devices. I. Molecular beam epitaxy
- Авторы: Kazakov I.P.1, Tsekhosh V.I.1, Bazalevsky M.A.1, Klekovkin A.V.1
-
Учреждения:
- Lebedev Physical Institute
- Выпуск: Том 44, № 7 (2017)
- Страницы: 187-191
- Раздел: Article
- URL: https://journals.rcsi.science/1068-3356/article/view/228389
- DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335617070016
- ID: 228389
Цитировать
Аннотация
GaAs/Ge/GaAs heterostructures in which the GaAs layer lattice on Ge is rotated at a right angle to the substrate plane are grown by molecular-beam epitaxy (MBE). Such heterostructures are grown in different epitaxial setups for GaAs and for Ge with wafer transfer through air tor the first time. It is proposed to use surfactants (Bi, Sb) to control GaAs layer nucleation on Ge.
Ключевые слова
Об авторах
I. Kazakov
Lebedev Physical Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: kazakov@sci.lebedev.ru
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
V. Tsekhosh
Lebedev Physical Institute
Email: kazakov@sci.lebedev.ru
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
M. Bazalevsky
Lebedev Physical Institute
Email: kazakov@sci.lebedev.ru
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
A. Klekovkin
Lebedev Physical Institute
Email: kazakov@sci.lebedev.ru
Россия, Leninskii pr. 53, Moscow, 119991
Дополнительные файлы
