Radiative Recombination Mechanisms Involving Exciton States of the Direct Fundamental Absorption Edge in Bilayer WSe 2

S. N. Nikolaev; V. S. Krivobok; E. E. Onishchenko; M. A. Chernopitsskii; V. S. Bagaev

doi:10.3103/S1068335619070066

Radiative Recombination Mechanisms Involving Exciton States of the Direct Fundamental Absorption Edge in Bilayer WSe₂

Авторлар: Nikolaev S.N.¹, Krivobok V.S.¹, Onishchenko E.E.¹, Chernopitsskii M.A.¹, Bagaev V.S.¹
Мекемелер:
1. Lebedev Physical Institute
Шығарылым: Том 46, № 7 (2019)
Беттер: 233-237
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1068-3356/article/view/229036
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335619070066
ID: 229036

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Methods for production of atomically thin WSe₂ films and optical control of their thickness are developed. For two-monolayer-thick WSe₂ films, photoluminescence spectra associated with the emission of exciton states of the direct fundamental absorption edge at a temperature of 5–70 K are measured. Along with the emission of intrinsic excitons of the bilayer, new defect-related emission lines are detected.