Информация об авторе

Naryshkina, V. G.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 64, № 10 (2019) Physical Processes in Electron Devices On the Influence of Ionic Polarization of Transistor Si-Structures on the Conductivity of p-Type Channels

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах