Автор туралы ақпарат

Naryshkina, V. G.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 64, № 10 (2019) Physical Processes in Electron Devices On the Influence of Ionic Polarization of Transistor Si-Structures on the Conductivity of p-Type Channels

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>