Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Kukushkin, S.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 42, № 2 (2016)
Article
Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry
Том 42, № 6 (2016)
Article
Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate
Том 42, № 12 (2016)
Article
Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface
Том 43, № 7 (2017)
Article
The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms
Том 45, № 3 (2019)
Article
A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface
Том 45, № 7 (2019)
Article
Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates
Том 45, № 11 (2019)
Article
Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP