Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Kalyuzhnyi, N.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 44, № 8 (2018)
Article
Power Characteristics and Temperature Dependence of the Angular Beam Divergence of Lasers with a Near-Surface Active Region
Том 44, № 11 (2018)
Article
An Antireflection Coating of a Germanium Subcell in GaInP/GaAs/Ge Solar Cells
Том 45, № 8 (2019)
Article
Energy Consumption for High-Frequency Switching of a Quantum-Dot Microdisk Laser
Том 45, № 10 (2019)
Article
Specific Features of the Current–Voltage Characteristic of Microdisk Lasers Based on InGaAs/GaAs Quantum Well-Dots
Том 45, № 12 (2019)
Article
Increasing the Photocurrent of a Ga(In)As Subcell in Multijunction Solar Cells Based on GaInP/Ga(In)As/Ge Heterostructure
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP