Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities

V. A. Smirnov; A. D. Mokrushin; V. P. Vasil’ev; N. N. Denisov; K. N. Denisova

doi:10.1134/S1063785016070129

Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities

Авторы: Smirnov V.A.¹, Mokrushin A.D.², Vasil’ev V.P.¹, Denisov N.N.¹, Denisova K.N.³
Учреждения:
1. Institute of Problems of Chemical Physics
2. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials
3. Moscow State University
Выпуск: Том 42, № 7 (2016)
Страницы: 671-673
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7850/article/view/199901
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070129
ID: 199901

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Proton (wet atmosphere) and electron (reduced graphene oxide) conductivities can be observed in graphene oxide films. The field effect in a graphene oxide transistor for different conductivity types has been discovered and investigated.