Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities

V. A. Smirnov; A. D. Mokrushin; V. P. Vasil’ev; N. N. Denisov; K. N. Denisova

doi:10.1134/S1063785016070129

Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities

Авторлар: Smirnov V.¹, Mokrushin A.², Vasil’ev V.¹, Denisov N.¹, Denisova K.³
Мекемелер:
1. Institute of Problems of Chemical Physics
2. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials
3. Moscow State University
Шығарылым: Том 42, № 7 (2016)
Беттер: 671-673
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7850/article/view/199901
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070129
ID: 199901

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

Proton (wet atmosphere) and electron (reduced graphene oxide) conductivities can be observed in graphene oxide films. The field effect in a graphene oxide transistor for different conductivity types has been discovered and investigated.