Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
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Sakharov, A. V.
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Volume 42, Nº 4 (2016)
Article
The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy
Volume 42, Nº 5 (2016)
Article
Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source
Volume 42, Nº 7 (2016)
Article
The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial
Volume 42, Nº 10 (2016)
Article
Metamaterial for efficient second harmonic generation
Volume 42, Nº 11 (2016)
Article
Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
Volume 44, Nº 1 (2018)
Near-IR Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Special Issue)
High-Speed Semiconductor Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Optical Data-Transmission Systems (Review)
Volume 44, Nº 7 (2018)
Article
The Effect of the Method by Which a High-Resistivity GaN Buffer Layer Is Formed on Properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures with 2D Electron Gas
Volume 45, Nº 7 (2019)
Article
Insulating GaN Epilayers Co-Doped with Iron and Carbon
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