Nonmonotonic Change in the Tunnel Conductivity of an MIS Structure with a Two-Layer Insulator with an Increase in Its Thickness (by the Example of the Metal/SiO2/CaF2/Si System)


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The effect of increasing the tunnel current in a metal–calcium fluoride–silicon structure with addition of a silicon dioxide layer between fluoride and metal (which seems paradoxical at first glance) has been considered. This effect of nonmonotonic change in the tunnel conductivity with an increase in the insulator thickness may occur at a relatively high bias at the structure and is related to the tunnel-barrier deformation, at which electrons are tunneling through its part formed by the oxide. At low biases, the occurrence/ thickening of an additional layer leads to a natural decrease in the current. Similar behavior is possible in principle for some other combinations of materials.

Авторлар туралы

Yu. Illarionov

Ioffe Physical Technical Institute; Institute of Microelectronics

Email: vexler@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021; Vienna, 1040

A. Banshchikov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vexler@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Sokolov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: vexler@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Wachter

Institute of Photonics

Email: vexler@mail.ioffe.ru
Австрия, Vienna, 1040

M. Vexler

Ioffe Physical Technical Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>