Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film

B. E. Umirzakov; D. A. Tashmukhamedova; M. A. Tursunov; Y. S. Ergashov; G. Kh. Allayarova

doi:10.1134/S1063784219070260

Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film

Авторлар: Umirzakov B.¹, Tashmukhamedova D.¹, Tursunov M.¹, Ergashov Y.¹, Allayarova G.¹
Мекемелер:
1. Tashkent State Technical University
Шығарылым: Том 64, № 7 (2019)
Беттер: 1051-1054
Бөлім: Physical Electronics
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7842/article/view/203862
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219070260
ID: 203862

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

Escape zone depths λ' for true-secondary electrons and photoelectrons from pure CdTe and CdTe with a Ba film of thickness θ ≤ 1 monolayer have been estimated for the first time. It is shown that upon a decrease of the work function of the surface by 2 eV, the value of λ' increases by 1.2–1.3 times.