Heat Capacity of Erbium-Doped Gallium-Gadolinium Garnet
- Авторлар: Lezova I.E.1, Shevchenko E.V.1, Charnaya E.V.1, Khazanov E.N.2, Taranov A.V.2
- 
							Мекемелер: 
							- St. Petersburg State University
- Institute of Radioengineering and Electronics
 
- Шығарылым: Том 60, № 10 (2018)
- Беттер: 1948-1952
- Бөлім: Dielectrics
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7834/article/view/204031
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418100165
- ID: 204031
Дәйексөз келтіру
Аннотация
In this paper, we compared the results of a heat capacity study of an erbium-doped gallium gadolinium garnet crystal with data for an undoped garnet. The measurements were carried out in the temperature range from 1.9 to 220 K and in magnetic fields from 0 to 9 T. The temperature dependences of the specific heat were interpreted with allowance for the Schottky contributions due to the Gd3+ and Er3+ ions and the contributions of the thermal vibrations of the crystal lattice. The values of entropy and magnetic entropy are calculated.
Авторлар туралы
I. Lezova
St. Petersburg State University
							Хат алмасуға жауапты Автор.
							Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Ресей, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Shevchenko
St. Petersburg State University
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Ресей, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Charnaya
St. Petersburg State University
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Ресей, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Khazanov
Institute of Radioengineering and Electronics
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Ресей, 							Moscow, 125009						
A. Taranov
Institute of Radioengineering and Electronics
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Ресей, 							Moscow, 125009						
Қосымша файлдар
 
				
			 
						 
					 
						 
						 
						 
									 
  
  
  
  
  Мақаланы E-mail арқылы жіберу
			Мақаланы E-mail арқылы жіберу  Ашық рұқсат
		                                Ашық рұқсат Рұқсат берілді
						Рұқсат берілді Тек жазылушылар үшін
		                                		                                        Тек жазылушылар үшін
		                                					