Low-Temperature Crystallization of Germanium in the Thin-Film Ge/Al System


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The crystallization of thin germanium films during vacuum thermal deposition on an aluminum surface has been investigated. Significant changes in the morphology and crystal structure of films in dependence of the formation temperature are demonstrated using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The temperature ranges for growth of amorphous and polycrystalline germanium films are determined. It is shown that the decrease in the germanium crystallization temperature to 300°С is caused by the size effect and is explained within the metal-induced crystallization model.

Об авторах

A. Beltiukov

Udmurt Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Ural Branch

Автор, ответственный за переписку.
Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Izhevsk, 426067

V. Volkov

Udmurt Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Ural Branch

Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Izhevsk, 426067

A. Chukavin

Udmurt Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Ural Branch

Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Izhevsk, 426067

R. Valeev

Udmurt Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Ural Branch

Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Izhevsk, 426067

A. Muslimov

Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”
Russian Academy of Sciences

Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Moscow, 119333

V. Kanevsky

Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”
Russian Academy of Sciences

Email: beltukov.a.n@gmail.com
Россия, Moscow, 119333


© Pleiades Publishing, Inc., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах