Frequency properties of heterostructures based on bismuth selenide upon bipolar resistive switching: Experiments and numerical simulation

N. A. Tulina; A. N. Rossolenko; I. M. Shmytko; N. N. Kolesnikov; D. N. Borisenko; V. V. Sirotkin; I. Yu. Borisenko

doi:10.3103/S1062873816060381

Frequency properties of heterostructures based on bismuth selenide upon bipolar resistive switching: Experiments and numerical simulation

Авторы: Tulina N.A.¹, Rossolenko A.N.¹, Shmytko I.M.¹, Kolesnikov N.N.¹, Borisenko D.N.¹, Sirotkin V.V.², Borisenko I.Y.²
Учреждения:
1. Institute of Solid State Physics
2. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials
Выпуск: Том 80, № 6 (2016)
Страницы: 672-674
Раздел: Proceedings of the Interdisciplinary Symposium “Ordering in Minerals and Alloys” OMA-18 and Proceedings of the International Interdisciplinary Symposium “Order, Disorder, and Properties of Oxides” ODPO-18
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/184499
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873816060381
ID: 184499

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The effect applied voltage frequency has on bipolar resistive switching in microcontact type heterostructures based on thin films and single crystals of bismuth selenide is studied both experimentally and via numerical simulation.

Об авторах

N. Tulina

Institute of Solid State Physics

Автор, ответственный за переписку.
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Chernogolovka, 142432