Frequency properties of heterostructures based on bismuth selenide upon bipolar resistive switching: Experiments and numerical simulation

N. A. Tulina; A. N. Rossolenko; I. M. Shmytko; N. N. Kolesnikov; D. N. Borisenko; V. V. Sirotkin; I. Yu. Borisenko

doi:10.3103/S1062873816060381

Frequency properties of heterostructures based on bismuth selenide upon bipolar resistive switching: Experiments and numerical simulation

Авторлар: Tulina N.A.¹, Rossolenko A.N.¹, Shmytko I.M.¹, Kolesnikov N.N.¹, Borisenko D.N.¹, Sirotkin V.V.², Borisenko I.Y.²
Мекемелер:
1. Institute of Solid State Physics
2. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials
Шығарылым: Том 80, № 6 (2016)
Беттер: 672-674
Бөлім: Proceedings of the Interdisciplinary Symposium “Ordering in Minerals and Alloys” OMA-18 and Proceedings of the International Interdisciplinary Symposium “Order, Disorder, and Properties of Oxides” ODPO-18
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/184499
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873816060381
ID: 184499

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect applied voltage frequency has on bipolar resistive switching in microcontact type heterostructures based on thin films and single crystals of bismuth selenide is studied both experimentally and via numerical simulation.

Авторлар туралы

N. Tulina

Institute of Solid State Physics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: tulina@issp.ac.ru
Ресей, Chernogolovka, 142432