Calculating the nonequilibrium carrier relaxation kinetics in AlGaAs


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of the initial density of nonequilibrium electron–hole pairs on the kinetics of their relaxation is analyzed. The influence of cooling, formation, ionization, and radiative recombination of excitons is discussed. It is shown that the exciton lifetime increases with the optical excitation density and, as a result, maximum exciton density is attained for a longer time.

Об авторах

E. Kozhemyakina

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Автор, ответственный за переписку.
Email: kozhemyakina@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

K. Zhuravlev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: kozhemyakina@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).