Calculating the nonequilibrium carrier relaxation kinetics in AlGaAs


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The effect of the initial density of nonequilibrium electron–hole pairs on the kinetics of their relaxation is analyzed. The influence of cooling, formation, ionization, and radiative recombination of excitons is discussed. It is shown that the exciton lifetime increases with the optical excitation density and, as a result, maximum exciton density is attained for a longer time.

Авторлар туралы

E. Kozhemyakina

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kozhemyakina@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

K. Zhuravlev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: kozhemyakina@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2016