Studying the Elastic Stresses at the Edges of a Section of the SOI Heterostructure of a Micro-Electromechanical Pressure Transducer with an Isolated Tensoframe


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The elastic stresses on the edges of a section of a micromechanical silicon tensoframe–glassy dielectric layer–silicon membrane structure are investigated, along with the topology of a local area on the surface of the transitional layer of a chip for a micro-electromechanical (MEMS) pressure transducer with an isolated 3D tensoframe.

Авторлар туралы

L. Sokolov

AO Ramenskoye Instrument Engineering Bureau

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: sokolov@niiao.ru
Ресей, Ramenskoe, 140103

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2019