Studying the Elastic Stresses at the Edges of a Section of the SOI Heterostructure of a Micro-Electromechanical Pressure Transducer with an Isolated Tensoframe


Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The elastic stresses on the edges of a section of a micromechanical silicon tensoframe–glassy dielectric layer–silicon membrane structure are investigated, along with the topology of a local area on the surface of the transitional layer of a chip for a micro-electromechanical (MEMS) pressure transducer with an isolated 3D tensoframe.

Sobre autores

L. Sokolov

AO Ramenskoye Instrument Engineering Bureau

Autor responsável pela correspondência
Email: sokolov@niiao.ru
Rússia, Ramenskoe, 140103

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Allerton Press, Inc., 2019