Studying the Elastic Stresses at the Edges of a Section of the SOI Heterostructure of a Micro-Electromechanical Pressure Transducer with an Isolated Tensoframe


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The elastic stresses on the edges of a section of a micromechanical silicon tensoframe–glassy dielectric layer–silicon membrane structure are investigated, along with the topology of a local area on the surface of the transitional layer of a chip for a micro-electromechanical (MEMS) pressure transducer with an isolated 3D tensoframe.

Об авторах

L. Sokolov

AO Ramenskoye Instrument Engineering Bureau

Автор, ответственный за переписку.
Email: sokolov@niiao.ru
Россия, Ramenskoe, 140103

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).