Estimation of internal charging potential of dielectrics coated with conductive film
- 作者: Orlikovskaya N.G.1, Zykova E.Y.1, Tatarintsev A.A.1
-
隶属关系:
- Lomonosov Moscow State University
- 期: 编号 9 (2024)
- 页面: 50-57
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/276022
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024090063
- EDN: https://elibrary.ru/EHYZEO
- ID: 276022
如何引用文章
详细
The charging potentials of quartz glass coated with a conductive metallic film was evaluated. Estimations were made based on the measured dependence of the intensity of the cathodoluminescent signal on the energy of the incident electron beam. Calculations have shown that when quartz glass coated with a 14 nm thick Au film is irradiated, the charging potential can reach 1.7 kV at an electron energy of 10 keV and 2.7 kV at 15 keV. An estimation of the electric field generating under the surface of the grounded film has shown that the field strength does not exceed 4 × 107 V/cm.
全文:

作者简介
N. Orlikovskaya
Lomonosov Moscow State University
编辑信件的主要联系方式.
Email: orlikovskayang@gmail.com
俄罗斯联邦, Moscow, 119991
E. Zykova
Lomonosov Moscow State University
Email: orlikovskayang@gmail.com
俄罗斯联邦, Moscow, 119991
A. Tatarintsev
Lomonosov Moscow State University
Email: orlikovskayang@gmail.com
俄罗斯联邦, Moscow, 119991
参考
- Петров В.И. // Успехи физических наук. 1996. Т. 166. С. 859.
- Melchinger A., Hofmann S. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 6224. https://doi.org/10.1063/1.360569
- Cazaux J. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 8265. https://doi.org/10.1063/1.1368867
- Cornet N., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Juv́ D., Tŕheux D., Touzin M., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. Р. 064110. https://doi.org/10.1063/1.2890427
- Askri B., Raouadi K., Renoud R., Yangui B. // J. Electrostat. 2009. V. 67. P. 695. https://doi.org/10.1016/j.elstat.2009.03.006
- Рау Э.И., Татаринцев А.А. // Физика твердого тела. 2021. Т. 63. С. 483. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.04.50713.246
- Cazaux J. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 1418. https://doi.org/10.1063/1.336493
- Cazaux J. // Scanning. 2004. V. 26. P. 181. https://doi.org/10.1002/sca.4950260406
- Meyza X., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Tréheux D., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 5384. https://doi.org/10.1063/1.1613807
- Touzin M., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Juv́ D., Tŕheux D., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. Р. 114110. https://doi.org/10.1063/1.2201851
- Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Иешкин А.Е., Орликовская Н.Г., Рау Э.И. // Физика твердого тела. 2023. Т. 65. С. 1288. https://doi.org/10.21883/ftt.2023.08.56145.79
- Ohya K., Inai K., Kuwada H., Hayashi T., Saito M. // Surf. Coatings Technol. 2008. V. 202. P. 5310. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.008
- Cazaux J. // J. Electron Spectr. Relat. Phenomena. 2010. V. 176. P. 58. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2009.06.004
- Орехова К.Н., Серов Ю.М., Дементьев П.А., Иванова Е.В., Кравец В.А., Усачева В.П., Заморянская М.В. // Журнал технической физики. 2019. Т. 89. С. 1412. https://doi.org/10.21883/jtf.2019.09.48068.43-19
- Рау Э.И., Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Зайцев С.В. // Журнал технической физики. 2019. Т. 89. С. 1276. https://doi.org/10.21883/jtf.2019.08.47904.264-18
- Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Лукьянов А.Е., Рау Э.И., Татаринцев А.А., Хайдаров А.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. С. 1623. https://doi.org/10.7868/s0367676516120206
- Fitting H.J. // J. Electron Spectr. Relat. Phenomena. 2004. V. 136. P. 265. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2004.04.003
- Phillips M.R. // Microchim. Acta. 2006. V. 155. P. 51. https://doi.org/10.1007/s00604-006-0506-0
- Кузнецова Я.В. Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Санкт-Петербург: ФТИ, 2013.
- Гареева А.Р., Петров В.И., Чижов Г.А. // Вестн. МГУ. Сер. 3. 1989. Т. 30. С. 23.
- Михеев Н.Н., Петров В.И., Степович М.А. // Изв. АНаук СССР. Сер. физ. 1991. Т. 55. С. 1474.
- August H., Wernisch J. // Phys. Stat. Sol. 1989. V. 114. P. 629.
- Hunger H.-J., Kuchler L. // Phys. Stat. Sol. 1979. V. 56. P. 45.
- Drouin D., Couture A.R., Joly D., Tastet X., Aimez V., Gauvin R. // Scanning. 2007. V. 29. P. 92. https://doi.org/10.1002/sca.20000
- Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Зайцев С.И., Князев М.А., Свинцов А.А., Татаринцев А.А. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 116. https://doi.org/10.7868/s0544126913020105
- Kotera M., Suga H. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P. 261. https://doi.org/10.1063/1.340285
- Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1958. 907 с.
- Франц В. Пробой диэлектриков. М.: ИЛ, 1961. 207 с.
补充文件
