Кильватерный потенциал – механизм распыления атомов металлической поверхности
- Авторы: Калашников Н.П.1
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
- Выпуск: № 4 (2023)
- Страницы: 97-100
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/137745
- DOI: https://doi.org/10.31857/S102809602304009X
- EDN: https://elibrary.ru/KEHKHX
- ID: 137745
Цитировать
Аннотация
Теоретически рассмотрен процесс распыления атомов металла при коронном разряде. При движении электрона в среде с некоторой скоростью, экранирование заряда происходит с запаздыванием в пространстве и во времени, что приводит к возникновению кильватерного потенциала. Возбужденные колебания кильватерного заряда приводят к появлению дополнительных сил. Действие кильватерного потенциала на падающую заряженную частицу приводит к ее торможению, т.е. потерям энергии движущейся частицей. В работе рассмотрено воздействие кильватерного потенциала также на ионы (атомы) матрицы решетки. Использовано известное выражение для кильватерного потенциала, возбуждаемого заряженной частицей, движущейся с энергией, большей энергии Ферми электронов среды. Получено выражение для сечения распыления атомов металла под действием кильватерного потенциала, возбужденного электронным пучком. Показано, что результат распыления не зависит от знака заряда и массы падающей частицы (электрона или иона).
Об авторах
Н. П. Калашников
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Автор, ответственный за переписку.
Email: kalash@mephi.ru
115409 Россия, Москва
Список литературы
- Megyeria D., Kohuta A, Geretovszky Z. // J. Aerosol Sci. 2021. V. 154. P. 105758.
- Загайнов В.А, Максименко В.В., Калашников Н.П., Аграновский И.Е., Чаусов В.Д., Загайнов Д.К. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 7. С. 27.
- Niedbalski J. // Rev. Sci. Instrum. 2003. V. 74. Iss. 7. P. 3520.
- Li M.-W., Hu Zh., Wang X.-Zh. et al. // J. Mater. Sci. 2004. V. 39. Iss. 1. P. 283.
- Warburg E. // Ueber die Spitzenentladung Wied. Ann. 1899. V. 67. P. 69.
- Chang J.-Sh., Lawless P.A., Yamamoto T. // IEEE Transactions Plasma Sci. 1991. V. 19. № 6.
- Вартанян Т.А. Основы физики металлических наноструктур. СПб: НИУ ИТМО, 2013. 133 с.
- Курнаев В.А., Протасов Ю.С., Цветков И.В. Введение в пучковую электронику. М.: МИФИ, 2008. 452 с.
- Goldman M., Goldman A., Sigmond R.S. // Pure Appl. Chem. 1985. V. 57. № 9. P. 1353.
- Petrov A.A., Amirov R.H., Samoylov I.S. // IEEE Transactions Plasma Sci. 2009. V. 37. № 7.
- Оцуки Е.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М.: Мир, 1985. 280 с.
- Рязанов М.И. Введение в электродинамику конденсированного вещества. М.: Физматлит, 2002. 320 с.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Т. VIII. М.: Наука. ГРФМЛ, 1992. 664 с.
- Силин В.П., Рухадзе А.А. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред. М.: ГосАтомиздат, 1961. 244 с.
- Neufeld J., Ritchie R.H. // Phys. Rev. 1979. V. 98. P. 1632.
- Vager Z., Gemmel D.S. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. P. 1352.
- Echenique P.M., Ritchie R., Brandt W. // Physical Rev. B. 1976. V. 14. P. 4808.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Т. III. М.: Наука. ГРФМЛ, 1989. 768 с.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука. ГРФМЛ, 1978. 792 с.
- Kalashnikov N. Coherent Interactions of Charged Particles in Single Crystals. Scattering and Radiative Processes in Single Crystals. Harwood Academic Publishers, 1988. 328 p.