Influence of Implantation of Ions Ba+ on the Composition and Electronic Structure of Silicate Glasses

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

In this work, using the methods of Auger electron spectroscopy, ultraviolet photoelectron spectroscopy and light absorption spectroscopy, the influence of the implantation of Ba+ ions into silicate glass and subsequent annealing on the composition, density of electronic states and parameters of energy bands was investigated. It has been shown that nonstoichiometric oxides Si, Pb, and Ba, as well as unbound atoms of the same elements, are formed in the ion-implanted layer after ion implantation. As a result, there is a significant change in the electronic structure of silicate glass, in particular, the band gap decreases by ∼2 eV. After annealing at T = 1000 K, unbound Si, Pb, and Ba atoms disappear in the ion-implanted layer (within the sensitivity of the Auger electron spectrometer) and stoichiometric oxides such as SiO2, PbO, and BaO are formed.

About the authors

D. A. Tashmukhamedova

Tashkent State Technical University named after Islam Karimov

Author for correspondence.
Email: ftmet@mail.ru
Uzbekistan, 100095, Tashkent

A. N. Urokov

Tashkent State Technical University named after Islam Karimov

Email: ftmet@mail.ru
Uzbekistan, 100095, Tashkent

G. Abdurakhmanov

National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek

Email: ftmet@mail.ru
Uzbekistan, 100174, Tashkent

B. E. Umirzakov

Tashkent State Technical University named after Islam Karimov

Email: ftmet@mail.ru
Uzbekistan, 100095, Tashkent

References

  1. Abdurakhmanov G. // New Insights into Physical Science V. 4. Chapter 6. Electrical Conduction in Doped Silicate Glasses (Thick Film Resistors). Hooghly-London: Book Publishers International, 2020. https://www.doi.org/10.9734/bpi/nips/v4
  2. Abdurakhmanov G., Abdurakhmanova N.G. // Physica Status Solidi A. 2005. V. 202. P. 1799. https://www.doi.org/10.1002/pssa.200420036
  3. Zheng Y., Atkinson J., SionR. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. 1153. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/36/9/314
  4. Grimaldi C. Printed Films. Chapter 5 / Ed. M. Prudenziati, J. Hormadaly. Cambridge: Woodhead Publishing, 2012..
  5. Moroz M. Thick Film Systems for Challenging Applications / IMAPS SoCal’15 Technical Symposium. Santa Ana, CA, USA, 2015.
  6. Adachi K., Kuno H. // American Ceram. Society. 2000. V. 83. № 10. P. 2441. https://www.doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01574.x
  7. Murthy K.S.R.C. // Int. J. Adv. Res. 2019. V. 7. № 4. P. 238. https://www.doi.org/10.21474/IJAR01/8811
  8. Bindu S., Suresh M.S. // British J. Appl. Sci. Technol. 2015. V. 6. № 4. P. 342.
  9. Wen M., Guan X., Li H., Ou J. // Physical A. 2020. V. 301. P. 111779 https://www.doi.org/10.1016/j.sna.2019.111779
  10. Абдурахманов Г., Шиманский В.И., Оксенгендлер Б.Л., Умирзаков Б.Е., Уроков А.Н. // ЖТФ. 2021. Т. 91. Вып. 2. С. 281. https://www.doi.org/ 10.21883/JTF.2021.02.50363.165-20
  11. Sartain C.C., Ryden W.D., Lawson A.W. // J. Non-Cryst. Solids.1970. V. 5. № 1. P. 55. https://www.doi.org/10.1016/0022-3093(70)90196-1
  12. Prudenziati M., Hormadali J. // Printed Films. Material Science and Applications in Sensors, Electronics and Photonics. Cambridge-New Delhi: Woodhead Publishing, 2012.
  13. Гудаев О.А., Малиновский В.К. // Физика твердого тела. 2002. Т. 44. Вып. 12. С. 2120.
  14. Zhao X.J., Zhao J.Y. // Adv. Mater. Res. 2012. V. 472–475. P. 1514. https://www.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.472-475.1514
  15. Flachbart K., Pavlík V., Tomašovičová N., Adkins C.J., Somora M., Leib J., Eska G. // Physica Status Solidi B. 1998. V. 205. № 1. P. 399.
  16. MacDonald D.K.C. Thermoelectricity. An Introduction to the Principles. Mineola, N.Y.: DoverPublications, Inc., 2006.
  17. Adachi K., Iida S., Hayashi K. // J. Mater. Res. 1994. V. 9. № 7. P. 1668. https://www.doi.org/10.1557/JMR.1994.1866
  18. Abe O., Taketa Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 1163. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/24/7/022
  19. Abdurakhmanov G., Vakhidova G.S., Tursunov L. // World J. Condensed Matter Phys. 2011. V. 1. № 1. P. 1. https://www.doi.org/10.4236/wjcmp.2011.11001
  20. Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Раббимов Э. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. № 4. С. 38. https://www.doi.org/10.7868/S0207352815040083
  21. Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 4. С. 104. https://www.doi.org/10.7868/S0207352817040084

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2.

Download (119KB)
Indexing metadata
3.

Download (40KB)
Indexing metadata
4.

Download (108KB)
Indexing metadata
5.

Download (56KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2023 Д.А. Ташмухамедова, А.Н. Уроков, Г. Абдурахманов, Б.Е. Умирзаков

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».