Influence of Implantation of Ions Ba +  on the Composition and Electronic Structure of Silicate Glasses

D. A. Tashmukhamedova; Ташмухамедова Д. А.; A. N. Urokov; Уроков А. Н.; G. Abdurakhmanov; Абдурахманов Г.; B. E. Umirzakov; Умирзаков Б. Е.

doi:10.31857/S1028096023030184

Влияние имплантации ионов Ba⁺ на состав и электронную структуру силикатных стекол

Авторы: Ташмухамедова Д.А.¹, Уроков А.Н.¹, Абдурахманов Г.², Умирзаков Б.Е.¹
Учреждения:
1. Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
2. Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
Выпуск: № 3 (2023)
Страницы: 40-45
Раздел: Статьи
URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/137720
DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023030184
EDN: https://elibrary.ru/LGKHIT
ID: 137720

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии, ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопией поглощения света исследовано влияние имплантации ионов Ba⁺ в силикатное стекло и последующего отжига на состав, плотность электронных состояний и параметры энергетических зон. Показано, что после ионной имплантации в ионно-легированном слое образуются нестехиометрические оксиды Si, Pb и Ba, а также несвязанные атомы этих же элементов. Вследствие этого происходит существенное изменение электронной структуры силикатного стекла, в частности, ширина запрещенной зоны уменьшается на ∼2 эВ. После отжига при Т = 1000 К в ионно-легированном слое исчезают (в пределах чувствительности оже-электронного спектрометра) несвязанные атомы Si, Pb, Ba и формируются стехиометрические оксиды типа SiO₂, PbO и BaO.

Ключевые слова

силикатное стекло, ионная имплантация, доза ионов, спектроскопия, параметры зон, нанопленки, энергия фотонов, ионное травление, оже-спектр, профили распределения.

Список литературы

Abdurakhmanov G. // New Insights into Physical Science V. 4. Chapter 6. Electrical Conduction in Doped Silicate Glasses (Thick Film Resistors). Hooghly-London: Book Publishers International, 2020. https://www.doi.org/10.9734/bpi/nips/v4
Abdurakhmanov G., Abdurakhmanova N.G. // Physica Status Solidi A. 2005. V. 202. P. 1799. https://www.doi.org/10.1002/pssa.200420036
Zheng Y., Atkinson J., SionR. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. 1153. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/36/9/314
Grimaldi C. Printed Films. Chapter 5 / Ed. M. Prudenziati, J. Hormadaly. Cambridge: Woodhead Publishing, 2012..
Moroz M. Thick Film Systems for Challenging Applications / IMAPS SoCal’15 Technical Symposium. Santa Ana, CA, USA, 2015.
Adachi K., Kuno H. // American Ceram. Society. 2000. V. 83. № 10. P. 2441. https://www.doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01574.x
Murthy K.S.R.C. // Int. J. Adv. Res. 2019. V. 7. № 4. P. 238. https://www.doi.org/10.21474/IJAR01/8811
Bindu S., Suresh M.S. // British J. Appl. Sci. Technol. 2015. V. 6. № 4. P. 342.
Wen M., Guan X., Li H., Ou J. // Physical A. 2020. V. 301. P. 111779 https://www.doi.org/10.1016/j.sna.2019.111779
Абдурахманов Г., Шиманский В.И., Оксенгендлер Б.Л., Умирзаков Б.Е., Уроков А.Н. // ЖТФ. 2021. Т. 91. Вып. 2. С. 281. https://www.doi.org/ 10.21883/JTF.2021.02.50363.165-20
Sartain C.C., Ryden W.D., Lawson A.W. // J. Non-Cryst. Solids.1970. V. 5. № 1. P. 55. https://www.doi.org/10.1016/0022-3093(70)90196-1
Prudenziati M., Hormadali J. // Printed Films. Material Science and Applications in Sensors, Electronics and Photonics. Cambridge-New Delhi: Woodhead Publishing, 2012.
Гудаев О.А., Малиновский В.К. // Физика твердого тела. 2002. Т. 44. Вып. 12. С. 2120.
Zhao X.J., Zhao J.Y. // Adv. Mater. Res. 2012. V. 472–475. P. 1514. https://www.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.472-475.1514
Flachbart K., Pavlík V., Tomašovičová N., Adkins C.J., Somora M., Leib J., Eska G. // Physica Status Solidi B. 1998. V. 205. № 1. P. 399.
MacDonald D.K.C. Thermoelectricity. An Introduction to the Principles. Mineola, N.Y.: DoverPublications, Inc., 2006.
Adachi K., Iida S., Hayashi K. // J. Mater. Res. 1994. V. 9. № 7. P. 1668. https://www.doi.org/10.1557/JMR.1994.1866
Abe O., Taketa Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 1163. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/24/7/022
Abdurakhmanov G., Vakhidova G.S., Tursunov L. // World J. Condensed Matter Phys. 2011. V. 1. № 1. P. 1. https://www.doi.org/10.4236/wjcmp.2011.11001
Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Раббимов Э. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. № 4. С. 38. https://www.doi.org/10.7868/S0207352815040083
Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 4. С. 104. https://www.doi.org/10.7868/S0207352817040084