Analysis of the composition of graphene-oxide films using a backscattered H+ ion beam


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The O/C atomic ratios in films of oxidized and partially reduced graphene oxide are determined via the Rutherford backscattering of H+ ions. In addition, the conductivity σ is measured. It is established that the reduction noticeably decreases the О/С ratio and increases σ by a few orders of magnitude. We demonstrate for the first time the efficiency of Rutherford backscattering in studying graphene-type objects.

Авторлар туралы

A. Mokrushin

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: mad@iptm.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

E. Egorov

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials

Email: mad@iptm.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

V. Smirnov

Institute for Problems of Chemical Physics

Email: mad@iptm.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016